半导体远红外辐射器是在红外加热技术迅速发展的基础上产生的一种新型加热辐射器，目前国内正在逐步推广应用。辐射器以高铝质陶瓷材料为基体，中间为多晶半导体导电层，表面涂覆具有高辐射频率的远红外涂层，两端电极用金属接线焊接引出后，绝缘封装在金属电极封闭套内，成为辐射器。受电以后，在外电场的作用下，辐射器能形成空穴为多数载流子的半导体发热体，它对有机高分子化合物及含水物质的加热烘烤极为有利，特别适用于300℃以下的低温烘烤。因此，它是比较适用于饼干烤炉的一种辐射加热器。
半导体远红外辐射器的热效率高、热容量小、热响应快、能实现快速升温和降温，有抗温度急变性能，辐射器表面绝缘性能好，远红外涂层采用珐琅绝缘涂料，不易剥落，符合卫生条件。它的主要缺点是机械强度较低，安装要求较高，对使用要求较严。
半导体远红外辐射器的热效率高、热容量小、热响应快、能实现快速升温和降温，有抗温度急变性能，辐射器表面绝缘性能好，远红外涂层采用珐琅绝缘涂料，不易剥落，符合卫生条件。它的主要缺点是机械强度较低，安装要求较高，对使用要求较严。