将各组分依次加入去离子水中,升温至40 ~50℃ ,混合至均匀,冷却至室温即成。
性质与用途:本产品用去离子水稀释25倍后加入到清洗槽中,将硅片浸入清洗槽,清洗温度为50~ ,清洗时间为480s。本剂能高效鳌合硅片表面的金属离子,尤其是后期对硅片光电转换效率影响较大的铜、铁、锌等离子,对硅片有良好的去油污效果,无刺激性气味,且不会对硅片造成严重腐蚀。
性质与用途:本产品用去离子水稀释25倍后加入到清洗槽中,将硅片浸入清洗槽,清洗温度为50~ ,清洗时间为480s。本剂能高效鳌合硅片表面的金属离子,尤其是后期对硅片光电转换效率影响较大的铜、铁、锌等离子,对硅片有良好的去油污效果,无刺激性气味,且不会对硅片造成严重腐蚀。